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Informationen
Bei der DLF2012-Serie handelt es sich um einen Miniatur-SMD-Datenleitungs-EMI-Filter mit Drahtwicklung. Es ist mit einer kompakten Grundfläche von 2,0 mm × 1,2 mm und einem niedrigen Profil von 1,2 mm konzipiert und eignet sich daher ideal für die Rauschunterdrückung auf Hochgeschwindigkeits-Differenzsignalleitungen in platzbeschränkten Anwendungen.
Produktklassifizierung
Datenleitungs-EMI-Filter
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Beschreibung

Bei der DLF2012-Serie handelt es sich um einen Miniatur-SMD-Datenleitungs-EMI-Filter mit Drahtwicklung. Es ist mit einer kompakten Grundfläche von 2,0 mm × 1,2 mm und einem niedrigen Profil von 1,2 mm konzipiert und eignet sich daher ideal für die Rauschunterdrückung auf Hochgeschwindigkeits-Differenzsignalleitungen in platzbeschränkten Anwendungen.

Diese Serie nutzt eine Ferritkern-Induktorkonstruktion, um eine hervorragende Gleichtaktimpedanz zum Filtern von EMI zu bieten. Er wurde entwickelt, um einen geringeren Gleichstromwiderstand und eine höhere Strombelastbarkeit als typische Filter seiner Größe zu erreichen, mit einem Nennstrom von bis zu 400 mA. Der DLF2012 bietet hervorragende Lötbarkeit, Hitzebeständigkeit und ist für Reflow-Löten geeignet. Dieser SMD-Datenleitungs-EMI-Filter ist eine hochzuverlässige Komponente für die Signalintegrität.

 

Hauptmerkmale

Miniatur-Fußabdruck:2,0 mm × 1,2 mm × 1,2 mm großes Gehäuse für Platinen mit hoher -Dichte.

Gleichtakt-EMI-Unterdrückung:Die Ferritkernkonstruktion sorgt für eine hohe Impedanz bei hohen Frequenzen.

Unterer DCR:Für minimale Signalverzerrung.

Hohe Stromtoleranz:Nennstrom bis 400mA.

Hohe Zuverlässigkeit:Gute Abmessungen und einfache Oberflächenmontage.

RoHS-konform.

 

Anwendungen

Der DLF2012 ist ideal zum Filtern von Gleichtaktrauschen aus Hochgeschwindigkeits-Differenzsignalleitungen und Stromleitungen, wie zum Beispiel:

USB 2.0, IEEE1394

1

>>

LVDS, MIPI

2

>>

Stromleitungen in tragbaren Geräten (z. B. Digitalkameras, Mobiltelefone)

3

>>

Notebooks und andere kompakte Geräte

4

 

Elektrische Eigenschaften

Teile-Nr.

Impedanz (Z) (Ω) bei 100 MHz

Nennstrom (Idc) (mA) MAX.

Nennspannung (V) (DC)

Spannungsfestigkeit (V) (DC)

Gleichstromwiderstand (R) (Ω) MAX.

Isolationswiderstand (IR) (MΩ) MIN.

DLF2012-670-A40

67

400

50

125

0.25

10

DLF2012-900-A33

90

330

50

125

0.35

10

DLF2012-121-A37

120

370

50

125

0.30

10

DLF2012-181-A33

180

330

50

125

0.35

10

DLF2012-261-A30

260

300

50

125

0.40

10

DLF2012-361-A28

360

280

50

125

0.45

10

Hinweise:

Testbedingungen:Alle Testdaten beziehen sich auf eine Umgebungstemperatur von 25 Grad.

Betriebstemperaturbereich:-40 Grad bis +85 Grad (Umgebungstemperatur plus Eigentemperaturanstieg).

Nennstrom (Idc):Gleichstrom (A), der ein ungefähres ΔT von 15 Grad verursacht.

Impedanz:Gemessen auf einem HP4287A (oder gleichwertig) bei 100 MHz.

 

Leistungskurve

product-864-363

 

 

Form und Abmessungen

product-697-560

product-689-204

 

Zuverlässigkeit

Dieses Produkt hat eine Reihe von Zuverlässigkeitstests bestanden, darunter Lagerung bei hohen Temperaturen, Lagerung bei niedrigen Temperaturen, Luftfeuchtigkeit und Temperaturschock. (Ausführliche Informationen finden Sie im PDF auf Seite 113).

 

Verpackung

Verpackung:Geprägtes Trägerband

Rollendurchmesser:178 mm (7 Zoll)

Bandbreite:8 mm

Menge/Rolle:2000 Stück

 

Löt-Reflow-Profil

Vorheizbedingung:150–200 Grad / 60–120 Sek.

Erlaubte Zeit über 217 Grad:60–90 Sek.

Maximale Temperatur:260 Grad

Maximale Zeit bei maximaler Temperatur:10 Sek.

Zulässige Reflow-Zeit:2x max

Lotpaste: Sn/3,0Ag/0,5Cu
(Hinweis: Dieses Profil dient nur der Qualifizierung. Die tatsächlichen Profile müssen auf dem spezifischen Platinendesign und -prozess des Kunden basieren.)

product-412-302

 

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